«Мы продемонстрировали, собственно транзисторы MOSFET из индий-галлий-арсенида при убавлении объемов не утрачивают собственные главные данные. При их помощи получится достичь свежих вершин в промышленности нанотехнологий, которые были недостижимыми для кремниевых решений, упирающихся в закон Мура», - объявил глава плана Хесус дель Аламо (Jesús del Alamo).
Позднее научные работники сконцентрируются на совершенствовании данных транзисторов и освоение 10-нм технологии их производства.